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在回顾了多值逻辑（MVL）电路的优点、分析了共振隧穿器件（RTD）电路的特点和比较了各种类型负阻器件性能的基础上,提出了利用CMOS型负阻......
A curvature calibrated bandgap reference with base-emitter current compensating in a 0.13μm CMOS pro
In bandgap references,the effect caused by the input offset of the operational amplifier can be effectively reduced by t......
介绍了 ESD保护结构的基本原理 ,并提出一个基于 CMOS工艺用于 IC卡芯片的保护电路。讨论了一些重要的设计参数对 ESD保护电路性能......
提出了用阵列电容来监测氧化层的完整性。分析表明，从多个子列的氧化层电容漏电合格率的曲线可以求出氧化层完整性的表征因子Ｅ值（每个......
采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５￣２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８￣２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达......
